TSM60NB600CH C5G
/MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet
TSM60NB600CH C5G的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-251-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:7 A
Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:13 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:63 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:8.4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:10 ns
工厂包装数量:3750
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:43 ns
典型接通延迟时间:20.8 ns
单位重量:340 mg
TSM60NB600CH C5G
TSM60NB600CH C5G的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TSM60NB600CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251 | $1.64460 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM60NB600CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet | 15,000:¥4.3844
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